摘要:扩散炉温度 1000~1200℃,但用的不是电热丝,是硅钼棒或者陶瓷加热器。原因有三个。
不是电热丝做不到这个温度,是洁净度和温度均匀性要求太高。
一、金属污染
半导体工艺对金属离子污染极其敏感。电热丝(铁铬铝、镍铬)在高温下会挥发微量金属,落到硅片上就是缺陷。
硅钼棒(MoSi2)和陶瓷加热器不含铁、镍、铬,污染风险低得多。
二、温度均匀性
扩散炉要求炉管内温度均匀性 ±1℃ 甚至更好。电热丝的绕制误差、螺距偏差、局部电阻不均,都会带来几度的差异。
硅钼棒可以做成 U 型、分段控温,配合炉管结构,均匀性更好。
三、气氛
扩散炉常用氧气、氮气、水汽。电热丝在湿氧环境里氧化速度快,寿命短。硅钼棒在氧化气氛下表面生成 SiO2 保护膜,反而更稳定。
不是。以下场合还是用电热丝:
这些场合温度不高、洁净度要求松,电热丝性价比更好。
可以做隔离结构:
这种结构成本高,但能满足中等洁净度要求。
半导体前道的扩散炉我们不做。但封装、测试、清洗、烘干这些环节的加热元件可以供,包括耐热钢炉内件、辐射管、热电偶材料。
具体需求发过来,能做的告诉你能做,不能做的直接说不能做。
馨祥合金 136 6174 5686。